MJD117
MJD122 CJ биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -2 А, минимальный коэффициент усиления hFE 500.
Комплементарная пара: MJD112
| Техническая информация | |
| Вес брутто | 0.45 |
| Граничная частота ft, МГц | 25 |
| Корпус | TO-252 (DPAK) |
| Коэффициент усиления hFE макс. | 12000 |
| Коэффициент усиления hFE мин. | 500 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 1,5 |
| Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В | -100 |
| Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В | -100 |
| Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В | -5 |
| Максимальный постоянный ток коллектора, А | -2 |
| Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В | -3 |
| Описание | Транзистор биполярный PNP; -100 В; -2 А; hFE 500…12000; TO-252 (DPAK) |
| Способ монтажа | Поверхностный |
| Тип проводимости | PNP |
| Упаковка | REEL, 2500 шт. |