2SD669
2SD669 биполярный транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-126. Тип проводимости NPN. Максимальный ток коллектора 1.5 А. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vceo 120 В, максимальное напряжение коллектор-база Vcbo 180 В, коэффициент усиления hFE 60... 320.
Комплементарная пара: 2SB649(A)
| Техническая информация | |
| Вес брутто | 0.65 |
| Граничная частота ft, МГц | 140 |
| Корпус | TO-126 |
| Коэффициент усиления hFE макс. | 320 |
| Коэффициент усиления hFE мин. | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 1 |
| Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В | 180 |
| Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В | 120 |
| Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В | 5 |
| Максимальный постоянный ток коллектора, А | 1,5 |
| Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В | 1 |
| Описание | Транзистор биполярный NPN; 120 В; 1,5 А; hFE 60…320; TO-126 |
| Способ монтажа | Сквозной |
| Тип проводимости | NPN |