MJD127T4G
MJD127T4G биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -8 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 8 кОм, R2 = 120 Ом) и антипараллельным диодом.
| Техническая информация | |
| Вес брутто | 0.53 |
| Граничная частота ft, МГц | 4 |
| Корпус | TO-252 (DPAK) |
| Коэффициент усиления hFE макс. | 20000 |
| Коэффициент усиления hFE мин. | 1000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 20 |
| Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В | -100 |
| Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В | -100 |
| Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В | -5 |
| Максимальный постоянный ток коллектора, А | -8 |
| Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В | -4 |
| Описание | Транзистор биполярный PNP; -100 В; -8 А; hFE 1000…20000; TO-252 (DPAK) |
| Способ монтажа | Поверхностный |
| Тип | Составной транзистор (Дарлингтона) |
| Тип проводимости | PNP |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 41*41*39/10000 |
| Упаковка | REEL, 2500 шт. |