MJD45H11T4G
MJD45H11T4G Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -80 В, максимальный ток оллектора Ic max -8 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 40.
Комплементарная пара: MJD44H11T4G
| Техническая информация | |
| Вес брутто | 0.47 |
| Граничная частота ft, МГц | 40 |
| Корпус | TO-252 (DPAK) |
| Коэффициент усиления hFE мин. | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 50 |
| Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В | -80 |
| Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В | -5 |
| Максимальный постоянный ток коллектора, А | -8 |
| Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В | -1 |
| Описание | Транзистор биполярный PNP; В; -8 А; hFE 40…; TO-252 (DPAK) |
| Способ монтажа | Поверхностный |
| Тип проводимости | PNP |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 39*39*39/2500 |
| Упаковка | REEL, 2500 шт. |