2SB1132
2SB1132 Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-89. Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -32 В, максимальный ток коллектора Ic max -1 А. Минимальный коэффициент усиления hFE 82. Граничная частота ft 150 МГц.
| Техническая информация | |
| Вес брутто | 0.22 |
| Граничная частота ft, МГц | 150 |
| Корпус | SOT-89 |
| Коэффициент усиления hFE макс. | 390 |
| Коэффициент усиления hFE мин. | 82 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 0,5 |
| Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В | -40 |
| Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В | -32 |
| Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В | -5 |
| Максимальный постоянный ток коллектора, А | -1 |
| Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В | -0,5 |
| Описание | Транзистор биполярный PNP; -32 В; -1 А; hFE 82…390; SOT-89 |
| Способ монтажа | Поверхностный |
| Тип проводимости | PNP |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 42*28*18.5/5000 |
| Упаковка | REEL, 1000 шт. |