| Вес брутто |
0.22 |
| Диапазон рабочих температур |
-55…+175 °С |
| Заряд затвора, нКл |
6 |
| Корпус |
SOIC-8 |
| Максимально допустимое напряжение |
затвор-исток (Vgs) ± 20 В |
| Максимальное напряжение сток-исток, В |
30 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А |
9,7 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм |
12,5 |
| Мощность |
рассеиваемая (Pd) - 2 Вт |
| Напряжение |
пороговое затвора (Vgs th) - 1.8В |
| Описание |
30V, 9.7A 2N-Channel MOSFET |
| Способ монтажа |
поверхностный (SMT) |
| Тип |
MOSFET |
| Тип проводимости |
2N |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во |
60*50*50/4000 |
| Упаковка |
REEL, 4000 шт. |
