| Вес брутто |
0.23 |
| Диапазон рабочих температур |
-55…+150 °С |
| Заряд затвора, нКл |
25 |
| Корпус |
SOIC-8 |
| Максимально допустимое напряжение |
затвор-исток (Vgs) ± 20 В |
| Максимальное напряжение сток-исток, В |
30 / -30 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А |
4 / -3 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм |
50 / 100 |
| Мощность |
рассеиваемая (Pd) - 1.4 Вт |
| Напряжение |
пороговое затвора (Vgs th) - 1В |
| Описание |
30V, 3A P-Channel and 4A N-Channel MOSFET |
| Способ монтажа |
поверхностный (SMT) |
| Тип |
MOSFET |
| Тип проводимости |
N+P |
| Упаковка |
REEL, 4000 шт. |
