| Вес брутто |
0.24 |
| Диапазон рабочих температур |
-55…+150 °С |
| Заряд затвора, нКл |
24 |
| Корпус |
SOIC-8 |
| Максимально допустимое напряжение |
затвор-исток (Vgs) ± 20 В |
| Максимальное напряжение сток-исток, В |
55 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А |
4,7 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм |
43 |
| Мощность |
рассеиваемая (Pd) - 2 Вт |
| Напряжение |
пороговое затвора (Vgs th) - 1В |
| Описание |
55V, 4.7A 2N-Channel MOSFET |
| Способ монтажа |
поверхностный (SMT) |
| Тип |
MOSFET |
| Тип проводимости |
2N |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во |
58*46*36/4000 |
| Упаковка |
REEL, 4000 шт. |
