| Вес брутто |
0.22 |
| Диапазон рабочих температур |
-55…+150 °С |
| Емкость, пФ |
290 |
| Заряд затвора, нКл |
30 |
| Корпус |
SOIC-8 |
| Максимально допустимое напряжение |
затвор-исток (Vgs) ± 20 В |
| Максимальное напряжение сток-исток, В |
50 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А |
3 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм |
130 |
| Мощность |
рассеиваемая (Pd) - 2 Вт |
| Напряжение |
пороговое затвора (Vgs th) - 3В |
| Описание |
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC |
| Способ монтажа |
поверхностный (SMT) |
| Тип |
MOSFET |
| Тип проводимости |
N |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во |
62*40*43/4000 |
| Упаковка |
REEL, 4000 шт. |
