| Вес брутто |
0.62 |
| Диапазон рабочих температур |
-55…+150 °С |
| Емкость, пФ |
760 |
| Заряд затвора, нКл |
58 |
| Корпус |
TO-252 (DPAK) |
| Максимально допустимое напряжение |
затвор-исток (Vgs) ± 20 В |
| Максимальное напряжение сток-исток, В |
-100 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А |
-13 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм |
205 |
| Мощность |
рассеиваемая (Pd) - 66 Вт |
| Напряжение |
пороговое затвора (Vgs th) - 4В |
| Описание |
MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 205mOhms 70nC |
| Способ монтажа |
поверхностный (SMT) |
| Тип |
MOSFET |
| Тип проводимости |
P |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во |
60*50*50/2000 |
| Упаковка |
REEL, 2000 шт. |
