| Вес брутто |
0.13 |
| Диапазон рабочих температур |
-55…+155 °С |
| Емкость, пФ |
4310 |
| Заряд затвора, нКл |
51 |
| Корпус |
SOIC-8 |
| Максимально допустимое напряжение |
затвор-исток (Vgs) ± 20 В |
| Максимальное напряжение сток-исток, В |
30 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А |
20 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм |
3,7 |
| Мощность |
рассеиваемая (Pd) - 2,5 Вт |
| Напряжение |
пороговое затвора (Vgs th)- 2,32 В |
| Описание |
MOSFET MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC |
| Способ монтажа |
поверхностный (SMT) |
| Тип |
MOSFET |
| Тип проводимости |
N |
| Упаковка |
REEL, 4000 шт. |
