| Вес брутто |
0.14 |
| Диапазон рабочих температур |
-55…+150 °С |
| Емкость, пФ |
5250 |
| Заряд затвора, нКл |
165 |
| Корпус |
SOIC-8 |
| Максимально допустимое напряжение |
затвор-исток (Vgs) ± 20 В |
| Максимальное напряжение сток-исток, В |
-30 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А |
-20 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм |
6,8 |
| Мощность |
рассеиваемая (Pd) - 2,5 Вт |
| Напряжение |
пороговое затвора (Vgs th) - 1.8В |
| Описание |
MOSFET MOSFT P-Ch -30V -20A 4.6mOhm |
| Способ монтажа |
поверхностный (SMT) |
| Тип |
MOSFET |
| Тип проводимости |
P |
| Упаковка |
REEL, 4000 шт. |
